90nm及以下的制程主要使用300mm半导体硅片，90nm以上的制程主要使用200mm或更小尺寸的硅片；300mm仍将是半导体硅片的主流，12英寸半导体硅片的可使用面积超过8英寸硅片的两倍以上，可使用率（衡量单位晶圆可生产的芯片数量的指标）是8英寸硅片的2.25倍左右。

除去常见的尺寸大小、厚度，300mm硅片由于先进制程的要求，相对于200mm硅片，增加了平整度、翘曲度、弯曲度、表面金属残余量等参数。在纯度方面，先进制程的硅片要求在9N（99.9999999%）-11N (99.999999999%)。半导体硅片核心工艺包括单晶工艺、切片工艺、研磨工艺、抛光工艺、外延工艺等，技术专业化程度较高，其中单晶工艺是为核心的技术，其决定了硅片尺寸、电阻率、纯度、氧含量、位错、晶体缺陷等关键技术指标，在单晶生长过程中，还需要注意温度控制和提拉速率等。